Тут есть одна коварная хитрость, которой гадёныши ловко воспользуются, когда (и если) припрут: Технический процесс изготовления полупроводниковых приборов (микросхем, тех же светодиодов) принято характеризовать разрешающей способностью того оборудования, на котором они выпекаются. Есть дивайс, способный рисовать их топологию с точностью в три микроны - отлично, начинаем в 1979 году делать процессоры Интел, точность оборудования повысили - можем делать микросхемки получше, теперь это полторы микроны и тд... Но, при дальнейшем уменьшении размерности, начинают измерять НАНОметрами. Так, все современные полупроводники выполняются по технологиям, именующимися нано. Хоть 90 нм, хоть 22 нм. Уровень 90 нм был достигнут буржуями в 2002 году, с тех пор устаревшее оборудование трудится на помойках КНР, Индии, и, понятное дело, в новационных рассадниках роисси - выпускают нанотранзисторы, в прямом смысле этого слова.
no subject
Технический процесс изготовления полупроводниковых приборов (микросхем, тех же светодиодов) принято характеризовать разрешающей способностью того оборудования, на котором они выпекаются. Есть дивайс, способный рисовать их топологию с точностью в три микроны - отлично, начинаем в 1979 году делать процессоры Интел, точность оборудования повысили - можем делать микросхемки получше, теперь это полторы микроны и тд... Но, при дальнейшем уменьшении размерности, начинают измерять НАНОметрами. Так, все современные полупроводники выполняются по технологиям, именующимися нано. Хоть 90 нм, хоть 22 нм. Уровень 90 нм был достигнут буржуями в 2002 году, с тех пор устаревшее оборудование трудится на помойках КНР, Индии, и, понятное дело, в новационных рассадниках роисси - выпускают нанотранзисторы, в прямом смысле этого слова.